Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium
Dans l industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l obtention de structures à fort rapport d aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d isolation ). La cryogravure est l une des voies pour réaliser ces structures. L objet de cette thèse est l étude des mécanismes de formatio...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | , |
| Formato: | Thèse et Mémoire papier |
| Idioma: | Français Anglais |
| Publicado em: |
[S.l.] :
[s.n.]
2006.
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| Assuntos: | |
| Nota: |
Textes en français et en anglais |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Physico-chemical mechanisms involved in the silicon plasma etching cryogenic process |
| Edition sous un autre format: | • Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium, par Mellhaoui Xavier, 2006, Villeurbanne, [CCSD] |
| LEADER | 03184nam a22003377a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 236734 | ||
| 008 | 070206s2006 xxe ||| |||| 00| 0 fre d | ||
| 009 | PPN112347967 | ||
| 041 | 0 | |a fre |a eng |b fre |b eng | |
| 084 | |a 530 | ||
| 100 | 1 | |a Mellhaoui, Xavier, |d 1978- . | |
| 240 | 1 | 0 | |a Physico-chemical mechanisms involved in the silicon plasma etching cryogenic process |
| 245 | 1 | 0 | |a Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium |c par Mellhaoui Xavier ; [sous la dir. de] Pierre Ranson,... [et de] Rémi Dussart,... |
| 260 | |a [S.l.] : |b [s.n.], |c 2006. | ||
| 300 | |a 1 vol. (171-[18] p.) : |b ill. ; |c 30 cm. | ||
| 500 | |a Textes en français et en anglais | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Physique des plasmas. Orléans. 2006 | ||
| 504 | |a Bibliogr. p. 165-167. Index | ||
| 506 | |a Publication autorisée par le jury | ||
| 520 | |a Dans l industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l obtention de structures à fort rapport d aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d isolation ). La cryogravure est l une des voies pour réaliser ces structures. L objet de cette thèse est l étude des mécanismes de formation de la couche de passivation SiOxFy dans le procédé cryogénique de gravure par plasma SF6/O2 du silicium. Cette couche ne se forme uniquement qu à basse température (~ -100ů). Elle désorbe lors de la remontée en température à l ambiant du substrat en libérant des espèces analysables par spectrométrie de masse. La principale espèce détectée est le produit de gravure SiF4. En testant des plasmas de construction de la couche avec le SiF4, nous avons trouvé deux mécanismes possibles de formation de la couche SiOxFy. Afin de compléter l étude, nous avons installé un ellipsomètre spectroscopique in-situ afin de caractériser l interaction de différents plasmas (Ar, SF6, O2, SF6/O2, SiF4/O2) avec le silicium montrant ainsi l effet de la température du substrat et du flux d ions. En régime de surpassivation, les MicroStructures Colonnaires, défaut du procédé de cryogravure, apparaissent au fond du motif. Une étude paramétrique de ces structures est effectuée en variant les conditions du plasma (température, Vbias, puissance de la source, pression et temps). | ||
| 650 | |a Silicium |x Couches minces | ||
| 650 | |a Gravure par plasma | ||
| 650 | |a Cryotechnique | ||
| 650 | |a Microélectronique | ||
| 650 | |a Ellipsométrie | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Ranson, Pierre, |d 19..- |4 ths | |
| 700 | 1 | |a Dussart, Rémi, |d 19..- |4 ths | |
| 776 | 0 | |0 226533743 |t Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium |f par Mellhaoui Xavier |d 2006 |c Villeurbanne |n [CCSD] | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 246939133 |t Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium |f par Mellhaoui Xavier |d 2006 |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |p Microfiches |s [Grenoble thèses] |
| 997 | |0 236734 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2006-1 |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2006-1 b | ||