Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium
Dans l industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l obtention de structures à fort rapport d aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d isolation ). La cryogravure est l une des voies pour réaliser ces structures. L objet de cette thèse est l étude des mécanismes de formatio...
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| Hovedforfatter: | |
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| Andre forfattere: | , |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Sprog: | Français Anglais |
| Udgivet: |
[S.l.] :
[s.n.]
2006.
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| Fag: | |
| Kommentar: |
Textes en français et en anglais |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Physico-chemical mechanisms involved in the silicon plasma etching cryogenic process |
| Edition sous un autre format: | • Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium, par Mellhaoui Xavier, 2006, Villeurbanne, [CCSD] |
| Summary: | Dans l industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l obtention de structures à fort rapport d aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d isolation ). La cryogravure est l une des voies pour réaliser ces structures. L objet de cette thèse est l étude des mécanismes de formation de la couche de passivation SiOxFy dans le procédé cryogénique de gravure par plasma SF6/O2 du silicium. Cette couche ne se forme uniquement qu à basse température (~ -100ů). Elle désorbe lors de la remontée en température à l ambiant du substrat en libérant des espèces analysables par spectrométrie de masse. La principale espèce détectée est le produit de gravure SiF4. En testant des plasmas de construction de la couche avec le SiF4, nous avons trouvé deux mécanismes possibles de formation de la couche SiOxFy. Afin de compléter l étude, nous avons installé un ellipsomètre spectroscopique in-situ afin de caractériser l interaction de différents plasmas (Ar, SF6, O2, SF6/O2, SiF4/O2) avec le silicium montrant ainsi l effet de la température du substrat et du flux d ions. En régime de surpassivation, les MicroStructures Colonnaires, défaut du procédé de cryogravure, apparaissent au fond du motif. Une étude paramétrique de ces structures est effectuée en variant les conditions du plasma (température, Vbias, puissance de la source, pression et temps). |
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| Emne beskrivelse: | Textes en français et en anglais |
| Fysisk beskrivelse: | 1 vol. (171-[18] p.) : ill. ; 30 cm. |
| Bibliografi: | Bibliogr. p. 165-167. Index |
| Adgang: | Publication autorisée par le jury |