Gravure profonde du silicium par le procédé cryogénique : application à la réalisation de trous traversants : optimisation du procédé, mécanismes réactionnels en phase gazeuse et interaction plasma/silicium
En microélectronique de puissance, l intégration des composants peut être optimisée en reportant une partie des fonctions en face arrière du substrat de silicium. Ces dernières sont interconnectées par des vias qui peuvent être réalisés par gravure plasma. L objectif de ce travail de thèse a consist...
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| Auteur principal: | |
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| Autres auteurs: | , |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Langue: | Français |
| Publié: |
[S.l.] :
[s.n.]
2006.
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| Sujets: | |
| Note: |
Thèse confidentielle jusqu'au 11 décembre 2008 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Silicon deep etching by the cryogenic process :, application to the drilling of holes : process optimisation, gas phase reactional mechanisms and plasma/silicon interaction |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Localisation | Cote | Type de prêt | Statut | |
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| Magasin | TS 19-2006-60 b |
A consulter sur place
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| Magasin | TS 19-2006-60 | Disponible |