Gravure profonde cryogénique du silicium dans un réacteur ICP utilisant une chimie SF6/O2 : application pour la mise au point d'un procédé d'isolation électrique sur plaquette SOI
Cette thèse concerne d'une part, l'étude des mécanismes de gravure et de passivation ayant lieu lors de la gravure du silicium (massif et SOI) par un plasma SF6/O2 et d'autre part, la mise au point d'un procédé de gravure profonde optimisé sur un réacteur industriel ICP. L'o...
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| Κύριος συγγραφέας: | |
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| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | Thèse et Mémoire papier |
| Γλώσσα: | Français |
| Έκδοση: |
[S.l.] :
[s.n.]
2002.
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| Θέματα: | |
| Σημείωση: |
Thèse confidentielle jusqu'au 01/01/2005 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Deep cryogenic etching of silicon in an ICP reactor using a SF6/O2 chemistry mixture and its application in the setting up of an electrical insulation process on SOI (silicon on insulator) wafer |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Τοποθεσία | Ταξιθετικός Αριθμός | Type de prêt | Κατάσταση | |
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| Magasin | TS 19-2002-60 b |
A consulter sur place
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| Magasin | TS 19-2002-60 | Στη βιβλιοθήκη |