Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium
Dans l industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l obtention de structures à fort rapport d aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d isolation ). La cryogravure est l une des voies pour réaliser ces structures. L objet de cette thèse est l étude des mécanismes de formatio...
Enregistré dans:
| Hovedforfatter: | |
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| Andre forfattere: | , |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Sprog: | Français Anglais |
| Udgivet: |
[S.l.] :
[s.n.]
2006.
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| Fag: | |
| Kommentar: |
Textes en français et en anglais |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Physico-chemical mechanisms involved in the silicon plasma etching cryogenic process |
| Edition sous un autre format: | • Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium, par Mellhaoui Xavier, 2006, Villeurbanne, [CCSD] |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Sted | Klassifikationsnummer | Type de prêt | Status | |
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| Magasin | TS 19-2006-1 b |
A consulter sur place
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| Magasin | TS 19-2006-1 | Tilgængelig |