Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium
Dans l industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l obtention de structures à fort rapport d aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d isolation ). La cryogravure est l une des voies pour réaliser ces structures. L objet de cette thèse est l étude des mécanismes de formatio...
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Thèse numérique |
| Sprache: | Français Anglais |
| Veröffentlicht: |
Villeurbanne :
[CCSD]
2006.
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | Accès au texte intégral Accès Université d'Orléans |
| Anmerkung: |
Textes en français et en anglais Description d'après la consultation, 2018-04-26 Titre provenant de l'écran titre Cette édition peut différer de la version de soutenance enregistrée sous le Numéro National de Thèse : 2006ORLE2001 Thèses CCSD |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Physico-chemical mechanisms involved in the silicon plasma etching cryogenic process |
| Edition sous un autre format: | • Mécanismes physico-chimiques dans le procédé de gravure plasma du Silicium, par Mellhaoui Xavier, [S.l.], [s.n.], 2006, 1 vol. (171-[18] p.) |