Etude et caractérisation avancées des procédés plasma pour les technologies sub-0.1 um
L'accroissement des densités d'intégration dans les circuits intégrés nécessite l'utilisation d'isolants (appelés +-low-Ka) à plus faible constante diélectrique (er) que celle de l'oxyde de silicium (er = 4.4). Dans ce cadre, la gravure plasma d'un nouveau polymère hydr...
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| Формат: | Thèse et Mémoire papier |
| Язык: | Français |
| Опубликовано: |
[S.l.] :
[s.n.]
2003.
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| Предметы: | |
| Примечание: |
Publication autorisée par le jury |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study and characterization of plasma processes for sub-0.1 um technologies design |