Etude et caractérisation avancées des procédés plasma pour les technologies sub-0.1 um
L'accroissement des densités d'intégration dans les circuits intégrés nécessite l'utilisation d'isolants (appelés +-low-Ka) à plus faible constante diélectrique (er) que celle de l'oxyde de silicium (er = 4.4). Dans ce cadre, la gravure plasma d'un nouveau polymère hydr...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
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| מחברים אחרים: | |
| פורמט: | Thèse et Mémoire papier |
| שפה: | Français |
| יצא לאור: |
[S.l.] :
[s.n.]
2003.
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| נושאים: | |
| הערה: |
Publication autorisée par le jury |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study and characterization of plasma processes for sub-0.1 um technologies design |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| מקום | סימן המיקום | Type de prêt | סטטוס | |
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| Magasin | TS 19-2003-61 b |
A consulter sur place
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| Magasin | TS 19-2003-61 | זמין |