Etude et caractérisation avancées des procédés plasma pour les technologies sub-0.1 um
L'accroissement des densités d'intégration dans les circuits intégrés nécessite l'utilisation d'isolants (appelés +-low-Ka) à plus faible constante diélectrique (er) que celle de l'oxyde de silicium (er = 4.4). Dans ce cadre, la gravure plasma d'un nouveau polymère hydr...
Kaydedildi:
| Yazar: | |
|---|---|
| Diğer Yazarlar: | |
| Materyal Türü: | Thèse et Mémoire papier |
| Dil: | Français |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
[S.l.] :
[s.n.]
2003.
|
| Konular: | |
| Not: |
Publication autorisée par le jury |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study and characterization of plasma processes for sub-0.1 um technologies design |
| LEADER | 03426nam a22002657a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 208795 | ||
| 008 | 040722s2003 xxe ||| |||| 00| 0 fre d | ||
| 009 | PPN079584586 | ||
| 041 | 0 | |a fre |b fre |b eng | |
| 084 | |a 530 | ||
| 100 | 1 | |a Fuard, David, |d 1973- | |
| 240 | 1 | 0 | |a Study and characterization of plasma processes for sub-0.1 um technologies design |
| 245 | 1 | 0 | |a Etude et caractérisation avancées des procédés plasma pour les technologies sub-0.1 um |c par David Fluard ; [sous la dir. d'] Olivier Joubert. |
| 260 | |a [S.l.] : |b [s.n.], |c 2003. | ||
| 300 | |a 211 p. : |b ill. en noir et en coul. ; |c 30 cm. | ||
| 500 | |a Publication autorisée par le jury | ||
| 502 | |a Thèse doctorat. Physique. Orléans. 2003 | ||
| 504 | |a Bibliogr. p. 197-211 | ||
| 520 | |a L'accroissement des densités d'intégration dans les circuits intégrés nécessite l'utilisation d'isolants (appelés +-low-Ka) à plus faible constante diélectrique (er) que celle de l'oxyde de silicium (er = 4.4). Dans ce cadre, la gravure plasma d'un nouveau polymère hydrocarboné, le SiLK (er = 2.65), a été étudiée : Le problème technologique majeur rencontré avec ces nouveaux matériaux demeure leur très faible seuil de gravure ionique réactive, qui conduit inévitablement à une forte déformation des profils de gravure (+-bowa). Un moyen d'obtenir une gravure anisotrope est de déposer une couche de passivation sur les flancs des motifs gravés au cours du procédé plasma. Dans le cas du SiLK, il a été démontré qu'il existe une très forte corrélation entre : la formation et la présence de résidus de gravure peu volatils dans la phase gazeuse du plasma, l'obtention de profils de gravure plus anisotropes, et la détection d'une couche SiLK graphitée (matériau carboné amorphe pauvre en hydrogène) à la fois sur les flancs, les sommets et au fond des structures gravées. D'autres sources de carbone, comme la présence d'un masque résine ou l'ajout de méthane au mélange gazeux, peuvent être utilisées pour améliorer l'anisotropie de gravure. Ce travail a aussi permis de développer une technique d'analyse topographique chimique avec une orientation du substrat (par rapport aux angles d'irradiation X et de collection des photo-électrons) adaptée à l'analyse de structures totalement isolantes. Par la suite, une recherche de l'origine de la déflexion des ions sur les flancs (responsable de la déformation des profils de gravure au cours du procédé plasma) a été menée parmi les trois phénomènes connus potentiellement responsables du +- bow a : i.e. la réflexion des ions sur la facette du masque, la température transverse des ions ou la présence de charges électrostatiques dans les structures en cours de gravure. | ||
| 650 | |a Gravure par plasma | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Joubert, Olivier Pierre Etienne, |d 1961-...., |c microélectronicien. |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 246751088 |t Etude et caractérisation avancées des procédés plasma pour les technologies sub-0.1 um |f par David Fluard |c Lille |n Atelier national de reproduction des thèses |d 2003 |p Microfiches |s Lille-Thèses |
| 997 | |0 208795 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2003-61 |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2003-61 b | ||