Croissance de couches minces par ablation laser en atmosphère réactive
Ce travail est consacré à la croissance de films minces de nitrures d'aluminium par ablation laser réactive. Cette méthode, largement utilisée pour la croissance de couches minces d'oxydes, présente des difficultés pour la formation d'autres composés tels que les nitrures. La réactivi...
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| 1. Verfasser: | |
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| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Sprache: | Français |
| Veröffentlicht: |
[S.l.] :
[s.n.]
2000.
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| Schlagworte: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Zusammenfassung: | Ce travail est consacré à la croissance de films minces de nitrures d'aluminium par ablation laser réactive. Cette méthode, largement utilisée pour la croissance de couches minces d'oxydes, présente des difficultés pour la formation d'autres composés tels que les nitrures. La réactivité de l'azote étant plus faible que celle de l'oxygène, il y aura toujours compétition entre l'oxydation et la nitruration. The aim of this work is to grow aluminium nitride thin film by reactive ablation. Pulsed laser deposition is widely used to grow oxide materials such as ferroelectrics, magnetics or biomaterials. For nitrides, it is difficult to obtain the precise stoichiometry because the main problem of nitride growth is the low reactivity of nitrogen in comparison with oxygen. It is always easier to oxidize than to nitride materials, therefore oxygen will be easily incorporated during nitride thin film growth. |
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| Beschreibung: | 1 vol. (150 p.) : ill. ; 30 cm. |