Procédé de gravure de couches atomiques de GaN pour la conception de transistors HEMT
Cette thèse a été menée au laboratoire GREMI dans le cadre du projet européen Nano2022 - IPCEI, en collaboration avec STMicroelectronics. Le but de cette étude était de développer et d'optimiser un nouveau procédé de gravure de couche atomique (dit ALE pour Atomic Layer Etching) utilisant une c...
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| Autres auteurs: | , , , , , |
| Format: | Thèse numérique |
| Langue: | Français |
| Publié: |
2023.
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| Sujets: | |
| Accès en ligne: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2023ORLE1100_va.pdf http://www.theses.fr/2023ORLE1100/abes https://theses.hal.science/tel-04867553 |
| Note: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire ; 2012-....) Partenaire(s) de recherche : Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés. UMR 7344 (Orléans ; 2012-....) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Pascal Chabert (Président du jury) ; Erwine Pargon, Mihai Bogdan Lazar, Cédric Mannequin (Membre(s) du jury) ; Erwine Pargon, Mihai Bogdan Lazar (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Atomic Layer Etching of GaN for Development of HEMT Transistors |