Etude de la gravure profonde du silicium à très basse température : application à la réalisation de caissons d'isolation pour la microélectronique de puissance
Ce travail étudie le développement d'un procédé spécifique de gravure profonde du silicium par plasma afin de démontrer la faisabilité d'une nouvelle approche pour réaliser des caissons d'isolation destinés aux composants de puissances intégrés
Guardat en:
| Autor principal: | |
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| Altres autors: | |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Idioma: | Français |
| Publicat: |
[S.l.] :
[s.n.]
2000.
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| Matèries: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Deep cryogenic etching of high aspect ratio trenches in silicon :, application in deep trench isolation (DTI) structures for integrated power devices |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Localització | Signatura | Type de prêt | Estat | |
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| Magasin | TS 19-2000-25 | Disponible | ||
| Magasin | TS 19-2000-25 b | Disponible |