Etude de la gravure profonde du silicium à très basse température : application à la réalisation de caissons d'isolation pour la microélectronique de puissance
Ce travail étudie le développement d'un procédé spécifique de gravure profonde du silicium par plasma afin de démontrer la faisabilité d'une nouvelle approche pour réaliser des caissons d'isolation destinés aux composants de puissances intégrés
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
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| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Thèse et Mémoire papier |
| اللغة: | Français |
| منشور في: |
[S.l.] :
[s.n.]
2000.
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| الموضوعات: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Deep cryogenic etching of high aspect ratio trenches in silicon :, application in deep trench isolation (DTI) structures for integrated power devices |
| LEADER | 02000nam a22002657a 4500 | ||
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| 084 | |a 530 | ||
| 100 | 1 | |a Aachboun, Said, |d 1970- | |
| 240 | 1 | 0 | |a Deep cryogenic etching of high aspect ratio trenches in silicon : |b application in deep trench isolation (DTI) structures for integrated power devices |
| 245 | 1 | 0 | |a Etude de la gravure profonde du silicium à très basse température : |b application à la réalisation de caissons d'isolation pour la microélectronique de puissance |c Said Aachboun ; sous la dir. de Pierre Ranson. |
| 260 | |a [S.l.] : |b [s.n.], |c 2000. | ||
| 300 | |a 1 vol. (185 p.) : |b ill. ; |c 30 cm. | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Physique. Orléans. 2000 | ||
| 504 | |a Bibliogr. p. 181-185 | ||
| 520 | |a Ce travail étudie le développement d'un procédé spécifique de gravure profonde du silicium par plasma afin de démontrer la faisabilité d'une nouvelle approche pour réaliser des caissons d'isolation destinés aux composants de puissances intégrés | ||
| 520 | |a This work presents the study of a specific deep silicon etching process using plasma technology in order to demonstrate the feasibility of a new approach to achieve isolation of integrated power devices | ||
| 650 | |a Silicium | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Ranson, Pierre. |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 246531363 |t Etude de la gravure profonde du silicium à très basse température |o application à la réalisation de caissons d'isolation pour la microélectronique de puissance |f Said Aachboun |c Lille |n Atelier national de reproduction des thèses |d 2000 |p Microfiches |s Lille-Thèses |
| 997 | |0 96643 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2000-25 b |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2000-25 | ||