High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications
Issues relating to the high-K gate dielectric are among the greatest challenges for the evolving International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). More than just an historical overview, this book will assess previous and present approaches related to scaling the gate dielectric and their i...
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| Weitere Verfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Livre numérique |
| Sprache: | Anglais |
| Veröffentlicht: |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg
[20..].
Cham : Springer Nature |
| Ausgabe: | 1st ed. 2005. |
| Schriftenreihe: | Springer Series in Advanced Microelectronics
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| Online Zugang: | Accès sur la plateforme de l'éditeur Accès sur la plateforme Istex Accès Université d'Orléans Accès INSA CVL |
| Anmerkung: |
Archives Springer e-books (Licence nationale) Archives Springer e-books (Licence nationale) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Edition sous un autre format: | • High dielectric constant materials, VLSI MOSFET applications, H.R. Huff, D.C. Gilmer (eds.), Berlin, Springer, 2005, XXIV-710 p., Springer series in advanced microelectronics, 3-540-21081-4 • High Dielectric Constant Materials, Texte imprimé, 9783540800965 • High Dielectric Constant Materials, Texte imprimé, 9783642059216 |