Etude de nouvelles voies de passivation non polymérisante pour la gravure profonde du silicium
La gravure plasma de structures à fort rapport d aspect dans le silicium est une étape clé dans la fabrication de microsystèmes et de composants de microélectronique de puissance. L objectif de ce travail est de développer un procédé de gravure profonde du silicium, qui fonctionne à plus haute tempé...
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| Другие авторы: | |
| Формат: | Thèse numérique |
| Язык: | Français Anglais |
| Опубликовано: |
2009.
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| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2009ORLE2016_va.pdf http://www.theses.fr/2009ORLE2016/abes |
| Примечание: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Sciences et technologies (Orléans ; 2009-2012) Partenaire(s) de recherche : Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés (Orléans ; 1996-2011) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Christophe Cardinaud (Président du jury) ; Pierre Ranson, Christophe Cardinaud, Pascal Chabert, Gilles Cunge, Michel Puech, Lawrence J. Overzet, Rémi Dussart, Laurent Ventura (Membre(s) du jury) ; Pascal Chabert, Gilles Cunge (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of new non polymerising passivation methods for deep silicon etching |