Etude des nano-bulles induites par implantation de gaz rares dans l'oxyde de silicium : applications
Le SiO2 ayant une constante diélectrique de 4 est utilisé dans les interconnexions des circuits intégrés. Cependant, l intégration poussée, dictée par la loi de Moore, conduit à un besoin de nouveaux diélectriques avec des constantes faibles. Ces types de matériaux peuvent être obtenus, par implanta...
Kaydedildi:
| Yazar: | |
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| Diğer Yazarlar: | , |
| Materyal Türü: | Thèse et Mémoire papier |
| Dil: | Français |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
[S.l.] :
[s.n.]
2006.
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| Konular: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of the nano-bubbles induces by rare gas implantation in silicon oxide :, applications |
| LEADER | 03309nam a22003017a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 241772 | ||
| 008 | 070604s2006 xxe ||| |||| 00| 0 fre d | ||
| 009 | PPN115074996 | ||
| 041 | 0 | |a fre |b fre |b eng | |
| 084 | |a 530 | ||
| 100 | 1 | |a Assaf-Reda, Hanan, |d 1981- | |
| 240 | 1 | 0 | |a Study of the nano-bubbles induces by rare gas implantation in silicon oxide : |b applications |
| 245 | 1 | 0 | |a Etude des nano-bulles induites par implantation de gaz rares dans l'oxyde de silicium : |b applications |c par Hanan Assaf-Reda ; [sous la dir. de] M. E. Ntsoenzok,... [et de] Mme M.-O. Ruault,... |
| 260 | |a [S.l.] : |b [s.n.], |c 2006. | ||
| 300 | |a 1 vol. (184 p.) : |b ill. ; |c 30 cm. | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Physique des matériaux et des surfaces. Orléans. 2006 | ||
| 504 | |a Notes bibliogr. | ||
| 520 | |a Le SiO2 ayant une constante diélectrique de 4 est utilisé dans les interconnexions des circuits intégrés. Cependant, l intégration poussée, dictée par la loi de Moore, conduit à un besoin de nouveaux diélectriques avec des constantes faibles. Ces types de matériaux peuvent être obtenus, par implantation d un gaz rare dans le SiO2. Cette méthode qui permet de créer des bulles/cavités (pores) dans le volume du SiO2 n avait pas encore fait l objet d études spécifiques avant ce travail de thèse. Premièrement, il apparaissait donc essentiel de s intéresser aux bulles/cavités créées par implantation d un gaz rare dans le SiO2 afin de trouver les paramètres favorables à leur formation et leur stabilité dans ce dernier. A cette fin, nous avons corrélé des observations en microscopie électronique à transmission, des dosages des ions effectués grâce à des méthodes d analyse nucléaires et des études des défauts ponctuels à l aide de la spectroscopie d annihilation de positons. Nous avons ainsi pu montrer que pour former des bulles/cavités dans le SiO2, il faut utiliser un ion lourd de type Kr ou Xe. Un ion léger comme l He ou le Ne n est pas apte à créer des bulles dans le SiO2. De plus, si l on veut des bulles thermiquement stables, il est important d utiliser des fortes fluences de Xe. Deuxièmement, l étude de l évolution de la constante diélectriques du SiO2 implanté a montré que l implantation de gaz rares tels que le Kr ou le Xe permet d obtenir un SiO2 à faible constante diélectrique (k~1,4) stable jusqu à 300ů. Cela fait de la technique d implantation une technique attractive pour introduire un nouveau diélectrique à faible-k dans les interconnexions des circuits intégrés. | ||
| 650 | |a Silice | ||
| 650 | |a Bulles | ||
| 650 | |a Gaz rares | ||
| 650 | |a Diélectriques | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Ntsoenzok, Esidor, |d 19..- |4 ths | |
| 700 | 1 | |a Ruault, Marie-Odile. |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 246967544 |t Etude des nano-bulles induites par implantation de gaz rares dans l'oxyde de silicium |o applications |f par Hanan Assaf-Reda |d 2006 |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |p Microfiches |s [Grenoble thèses] |
| 997 | |0 241772 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2006-30 |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2006-30 b | ||