Etude des nano-bulles induites par implantation de gaz rares dans l'oxyde de silicium : applications
Le SiO2 ayant une constante diélectrique de 4 est utilisé dans les interconnexions des circuits intégrés. Cependant, l intégration poussée, dictée par la loi de Moore, conduit à un besoin de nouveaux diélectriques avec des constantes faibles. Ces types de matériaux peuvent être obtenus, par implanta...
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| Autres auteurs: | , |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Langue: | Français |
| Publié: |
[S.l.] :
[s.n.]
2006.
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| Sujets: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of the nano-bubbles induces by rare gas implantation in silicon oxide :, applications |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Localisation | Cote | Type de prêt | Statut | |
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| Magasin | TS 19-2006-30 b |
A consulter sur place
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| Magasin | TS 19-2006-30 | Disponible |