Etude de l'oxyde de silicium implanté krypton ou xénon : évolution de la constante diélectrique.
Ce travail de thèse consiste en une étude approfondie du comportement de l'oxyde de silicium implanté Kr ou Xe pour son application comme matériau à faible constante diélectrique. Deux volets sont examinés: une étude structurale par l'utilisation de plusieurs techniques (RBS, PL, MET et PA...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
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| مؤلفون آخرون: | , |
| التنسيق: | Thèse numérique |
| اللغة: | Français |
| منشور في: |
2010.
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| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2010ORLE2059_va.pdf http://www.theses.fr/2010ORLE2059/abes |
| ملاحظة: |
Thèse soutenue en co-tutelle Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Sciences et technologies (Orléans ; 2009-2012) Partenaire(s) de recherche : Conditions extrêmes et matériaux : haute température et irradiation (Orléans ; 2008-...) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Eric Millon (Président du jury) ; Esidor Ntsoenzok, Abdelkader Belaidi, Eric Millon, Daniel Alquier, Abdelkader Saidane, Domingos De Sousa Meneses, Amine Boudguen (Membre(s) du jury) ; Daniel Alquier, Abdelkader Saidane (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of Silica implanted krypton or xenon :, evolution of dielectric constant |