Etude des nano-bulles induites par implantation de gaz rares dans l'oxyde de silicium : applications
Le SiO2 ayant une constante diélectrique de 4 est utilisé dans les interconnexions des circuits intégrés. Cependant, l intégration poussée, dictée par la loi de Moore, conduit à un besoin de nouveaux diélectriques avec des constantes faibles. Ces types de matériaux peuvent être obtenus, par implanta...
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| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Sprache: | Français |
| Veröffentlicht: |
[S.l.] :
[s.n.]
2006.
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| Schlagworte: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of the nano-bubbles induces by rare gas implantation in silicon oxide :, applications |
| Zusammenfassung: | Le SiO2 ayant une constante diélectrique de 4 est utilisé dans les interconnexions des circuits intégrés. Cependant, l intégration poussée, dictée par la loi de Moore, conduit à un besoin de nouveaux diélectriques avec des constantes faibles. Ces types de matériaux peuvent être obtenus, par implantation d un gaz rare dans le SiO2. Cette méthode qui permet de créer des bulles/cavités (pores) dans le volume du SiO2 n avait pas encore fait l objet d études spécifiques avant ce travail de thèse. Premièrement, il apparaissait donc essentiel de s intéresser aux bulles/cavités créées par implantation d un gaz rare dans le SiO2 afin de trouver les paramètres favorables à leur formation et leur stabilité dans ce dernier. A cette fin, nous avons corrélé des observations en microscopie électronique à transmission, des dosages des ions effectués grâce à des méthodes d analyse nucléaires et des études des défauts ponctuels à l aide de la spectroscopie d annihilation de positons. Nous avons ainsi pu montrer que pour former des bulles/cavités dans le SiO2, il faut utiliser un ion lourd de type Kr ou Xe. Un ion léger comme l He ou le Ne n est pas apte à créer des bulles dans le SiO2. De plus, si l on veut des bulles thermiquement stables, il est important d utiliser des fortes fluences de Xe. Deuxièmement, l étude de l évolution de la constante diélectriques du SiO2 implanté a montré que l implantation de gaz rares tels que le Kr ou le Xe permet d obtenir un SiO2 à faible constante diélectrique (k~1,4) stable jusqu à 300ů. Cela fait de la technique d implantation une technique attractive pour introduire un nouveau diélectrique à faible-k dans les interconnexions des circuits intégrés. |
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| Beschreibung: | 1 vol. (184 p.) : ill. ; 30 cm. |
| Bibliographie: | Notes bibliogr. |