Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium
Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d&#...
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| Autor principal: | |
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| Otros Autores: | |
| Formato: | Thèse et Mémoire papier |
| Lenguaje: | Français |
| Publicado: |
[S.l.] :
[s.n.]
2003.
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| Materias: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of the thermal growth of cavities induced by helium implantation in silicon |
| Edition sous un autre format: | • Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium, par Romain Delamare, 2005, Villeurbanne, [CCSD] |
| LEADER | 02582nam a22002897a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 198760 | ||
| 008 | 030930s2003 xxe ||| |||| 00| 0 fre d | ||
| 009 | PPN074227572 | ||
| 041 | 0 | |a fre |b fre |b eng | |
| 084 | |a 530 | ||
| 100 | 1 | |a Delamare, Romain, |d 1973- | |
| 240 | 1 | 0 | |a Study of the thermal growth of cavities induced by helium implantation in silicon |
| 245 | 1 | 0 | |a Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium |c par Romain Delamare ; [sous la dir. de] M. E. Ntsoenzok,... |
| 260 | |a [S.l.] : |b [s.n.], |c 2003. | ||
| 300 | |a 134 p. : |b ill. ; |c 30 cm. | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Physique. Orléans. 2003 | ||
| 504 | |a Notes bibliogr. | ||
| 506 | |a Publication autorisée par le jury | ||
| 520 | |a Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d'implantations. Les énergies d'implantation que nous avons réalisées, sont comprises entre 10 keV et 1,55 MeV, les doses allant de 1,45. 10 16 jusqu'à 10 17 He. Cm-2. Nous avons ainsi pu mettre en évidence le rôle de chacun des trois paramètres principaux que sont les lacunes, l'hélium et la surface dans la croissance des cavités. Nous avons également montré que c'est le même mécanisme qui gouverne la croissance des cavités pour des températures de recuit jusqu'à 900ů et que les cavités se forment dans la zone de création des lacunes dues à l'implantation. Avec ces données, nous avons pu élaborer un nouveau modèle de croissance pour les cavités. | ||
| 650 | |a Hélium | ||
| 650 | |a Silicium | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Ntsoenzok, Esidor, |d 19..- |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 776 | 0 | |0 226371042 |t Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium |f par Romain Delamare |d 2005 |c Villeurbanne |n [CCSD] | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 246695250 |t Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium |f par Romain Delamare |d 2003 |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |p Microfiches |s [Grenoble thèses] |
| 997 | |0 198760 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2003-11 |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2003-11 b | ||