Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium
Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d&#...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
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| מחברים אחרים: | |
| פורמט: | Thèse et Mémoire papier |
| שפה: | Français |
| יצא לאור: |
[S.l.] :
[s.n.]
2003.
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| נושאים: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of the thermal growth of cavities induced by helium implantation in silicon |
| Edition sous un autre format: | • Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium, par Romain Delamare, 2005, Villeurbanne, [CCSD] |
| סיכום: | Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d'implantations. Les énergies d'implantation que nous avons réalisées, sont comprises entre 10 keV et 1,55 MeV, les doses allant de 1,45. 10 16 jusqu'à 10 17 He. Cm-2. Nous avons ainsi pu mettre en évidence le rôle de chacun des trois paramètres principaux que sont les lacunes, l'hélium et la surface dans la croissance des cavités. Nous avons également montré que c'est le même mécanisme qui gouverne la croissance des cavités pour des températures de recuit jusqu'à 900ů et que les cavités se forment dans la zone de création des lacunes dues à l'implantation. Avec ces données, nous avons pu élaborer un nouveau modèle de croissance pour les cavités. |
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| תיאור פיזי: | 134 p. : ill. ; 30 cm. |
| ביבליוגרפיה: | Notes bibliogr. |
| גישה: | Publication autorisée par le jury |