Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium
Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d&#...
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| Autor principal: | |
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| Formato: | Thèse numérique |
| Idioma: | Français |
| Publicado em: |
Villeurbanne :
[CCSD]
2005.
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | Accès au texte intégral Accès Université d'Orléans |
| Nota: |
Description d'après la consultation, 2018-04-26 Titre provenant de l'écran titre Cette édition peut différer de la version de soutenance enregistrée sous le Numéro National de Thèse : 2003ORLE2011 Thèses CCSD |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of the thermal growth of cavities induced by helium implantation in silicon |
| Edition sous un autre format: | • Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium, par Romain Delamare, [S.l.], [s.n.], 2003, 134 p. |