EPITAXIE PAR LA METHODE DES ORGANOMETALLIQUES D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A APPLICATION EN HYPERFREQUENCE
CROISSANCE REPRODUCTIBLE DE MATERIAUX DE HAUTE PURETE QUI SE CARACTERISENT DANS LE CAS DE GAAS PAR UNE CONCENTRATION EN IMPURETES RESIDUELLES VOISINE DE E14 PORTEURS PAR CM**(3), UNE MOBILITE ELECTRONIQUE A 77K SUPERIEUR A 110.000 CM**( NON2)V.S ET DANS LE CAS DU GAALAS PAR UN NIVEAU DE DOPAGE RESID...
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| Autor principal: | |
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| Altres autors: | |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Idioma: | Français |
| Publicat: |
[Lieu de publication inconnu] :
[Éditeur inconnu]
1987.
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| Matèries: | |
| Nota: |
1987ORLE2003 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY OF GAA NONSALGAAS MICROWAVE HETEROSTRUCTURES |