EPITAXIE PAR LA METHODE DES ORGANOMETALLIQUES D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A APPLICATION EN HYPERFREQUENCE
CROISSANCE REPRODUCTIBLE DE MATERIAUX DE HAUTE PURETE QUI SE CARACTERISENT DANS LE CAS DE GAAS PAR UNE CONCENTRATION EN IMPURETES RESIDUELLES VOISINE DE E14 PORTEURS PAR CM**(3), UNE MOBILITE ELECTRONIQUE A 77K SUPERIEUR A 110.000 CM**( NON2)V.S ET DANS LE CAS DU GAALAS PAR UN NIVEAU DE DOPAGE RESID...
保存先:
| 第一著者: | |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | Thèse et Mémoire papier |
| 言語: | Français |
| 出版事項: |
[Lieu de publication inconnu] :
[Éditeur inconnu]
1987.
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| 主題: | |
| 注記: |
1987ORLE2003 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY OF GAA NONSALGAAS MICROWAVE HETEROSTRUCTURES |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| 配架場所 | 請求記号 | Type de prêt | 状態 | |
|---|---|---|---|---|
| Magasin | TS 19-1987-3 | 利用可 | ||
| Magasin | TS 19-1987-3 b | 利用可 |