EPITAXIE PAR LA METHODE DES ORGANOMETALLIQUES D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A APPLICATION EN HYPERFREQUENCE
CROISSANCE REPRODUCTIBLE DE MATERIAUX DE HAUTE PURETE QUI SE CARACTERISENT DANS LE CAS DE GAAS PAR UNE CONCENTRATION EN IMPURETES RESIDUELLES VOISINE DE E14 PORTEURS PAR CM**(3), UNE MOBILITE ELECTRONIQUE A 77K SUPERIEUR A 110.000 CM**( NON2)V.S ET DANS LE CAS DU GAALAS PAR UN NIVEAU DE DOPAGE RESID...
Kaydedildi:
| Yazar: | |
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| Diğer Yazarlar: | |
| Materyal Türü: | Thèse et Mémoire papier |
| Dil: | Français |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
[Lieu de publication inconnu] :
[Éditeur inconnu]
1987.
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| Konular: | |
| Not: |
1987ORLE2003 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY OF GAA NONSALGAAS MICROWAVE HETEROSTRUCTURES |
| Özet: | CROISSANCE REPRODUCTIBLE DE MATERIAUX DE HAUTE PURETE QUI SE CARACTERISENT DANS LE CAS DE GAAS PAR UNE CONCENTRATION EN IMPURETES RESIDUELLES VOISINE DE E14 PORTEURS PAR CM**(3), UNE MOBILITE ELECTRONIQUE A 77K SUPERIEUR A 110.000 CM**( NON2)V.S ET DANS LE CAS DU GAALAS PAR UN NIVEAU DE DOPAGE RESIDUEL DE E15 PORTEURS PAR CM**(3) POUR UNE TENEUR EN ALUMINIUM DE 25%. LA CARACTERISATION DES INTERFACES PAR MICROSCOPIE DEMONTRENT LA CROISSANCE REPRODUCTIBLES D'HETEROJONCTIONS AUX TRANSITIONS DE L'ORDRE DE LA MONOCOUCHE |
|---|---|
| Diğer Bilgileri: | 1987ORLE2003 |
| Fiziksel Özellikler: | 1 vol. (190 P.) ; 30 cm. |
| Bibliyografya: | 99 REF |