ETUDE DE LA PULVERISATION LASER DOUCE DES SEMICONDUCTEURS III-V GAAS ET GAALAS AINSI QUE DE LEURS HETEROSTRUCTURES
NOUS AVONS D'UNE PART DEVELOPPE LES ETUDES DEJA ENGAGEES AU GREMI CONCERNANT LA MICROANALYSE AVEC RESOLUTION EN PROFONDEUR PAR ABLATION LASER A FAIBLE ENERGIE ET SPECTROMETRIE DE MASSE PAR IONISATION LASER RESONNANTE (RIMS), EN NOUS INTERESSANT AUX SEMICONDUCTEURS III-V GAAS ET GAALAS. L'E...
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Thèse et Mémoire papier |
| Lingua: | Français |
| Pubblicazione: |
[S.l.] :
[s.n.]
1996.
|
| Soggetti: | |
| Nota: |
1996ORLE2071 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | STUDY OF THE SOFT LASER SPUTTERING OF GAAS AND GAALAS SEMICONDUCTORS AND OF THEIR HETEROSTRUCTURES |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Localizzazione | Collocazione | Type de prêt | Status | |
|---|---|---|---|---|
| Magasin | TS 19-1996-71b |
A consulter sur place
|
||
| Magasin | TS 19-1996-71 | Disponibile |