GaN-Based Laser Diodes : Towards Longer Wavelengths and Short Pulses
The emergence of highly efficient short-wavelength laser diodes based on the III-V compound semiconductor GaN has not only enabled high-density optical data storage, but is also expected to revolutionize display applications. Moreover, a variety of scientific applications in biophotonics, materials...
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| Auteur principal: | |
|---|---|
| Format: | Livre numérique |
| Langue: | Anglais |
| Publié: |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg
2012.
Cham : Springer Nature |
| Collection: | Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. Research
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| Accès en ligne: | Accès sur la plateforme de l'éditeur Accès sur la plateforme Istex Accès Université d'Orléans Accès INSA CVL |
| Note: |
Archives Springer e-books (Licence nationale) Archives Springer e-books (Licence nationale) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Edition sous un autre format: | • GaN-Based Laser Diodes, Texte imprimé, 9783642245374 • GaN-Based Laser Diodes, Texte imprimé, 9783642435485 • GaN-Based Laser Diodes, Texte imprimé, 9783642245398 |

