Fowler-Nordheim field emission : effects in semiconductor nanostructures
This monograph solely presents the Fowler-Nordheim field emission (FNFE) from semiconductors and their nanostructures. The materials considered are quantum confined non-linear optical, III-V, II-VI, Ge, Te, carbon nanotubes, PtSb2, stressed materials, Bismuth, GaP, Gallium Antimonide, II-V, Bi2Te3,...
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| Auteurs principaux: | , |
|---|---|
| Format: | Livre numérique |
| Langue: | Anglais |
| Publié: |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg
2012.
Cham : Springer Nature |
| Édition: | 2012. |
| Collection: | Springer Series in Solid-State Sciences
170 |
| Accès en ligne: | Accès sur la plateforme de l'éditeur Accès sur la plateforme Istex Accès Université d'Orléans Accès INSA CVL |
| Note: |
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| Edition sous un autre format: | • Fowler-nordheim Field Emission, Effects in Semiconductor Nanostructures, Sitangshu Bhattacharya, Kamakhya Prasad Ghatak, Heidelberg, Springer, 2011, 1 vol. (XXII-338 p.), Springer series in solid-state sciences, 978-3-642-20492-0 |