Effective electron mass in low-dimensional semiconductors
This book deals with the Effective Electron Mass (EEM) in low dimensional semiconductors. The materials considered are quantum confined non-linear optical, III-V, II-VI, GaP, Ge, PtSb2, zero-gap, stressed, Bismuth, carbon nanotubes, GaSb, IV-VI, Te, II-V, Bi2Te3, Sb, III-V, II-VI, IV-VI semiconducto...
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| Auteurs principaux: | , |
|---|---|
| Format: | Livre numérique |
| Sprog: | Anglais |
| Udgivet: |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg
[20..].
Cham : Springer Nature |
| Udgivelse: | 1st ed. 2013. |
| Serier: | Springer Series in Materials Science
167 |
| Online adgang: | Accès sur la plateforme de l'éditeur Accès sur la plateforme Istex Accès Université d'Orléans Accès INSA CVL |
| Kommentar: |
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| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Edition sous un autre format: | • Effective electron mass in low-dimensional semiconductors, Sitangshu Bhattacharya, Kamakhya Prasad Ghatak, Heidelberg, Springer Verlag, 2013, 1 vol. (XXIII-535 p.), Springer series in materials science, 978-3-642-31247-2 |

