Propriétés des défauts ponctuels natifs et induits par irradiation dans les polytypes 3C et 6H du carbure de silicium déterminées par annihilation de positons et RPE
Les applications potentielles du carbure de silicium (SiC) en microélectronique ont motivé de nombreuses études sur les défauts ponctuels, qui jouent un rôle important dans la compensation électrique. Ce matériau possède en outre de nombreux atouts pour participer au confinement des matières fissile...
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
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| Format: | Thèse numérique |
| Langue: | Français |
| Publié: |
Villeurbanne :
[CCSD]
2006.
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| Sujets: | |
| Accès en ligne: | Accès au texte intégral Accès Université d'Orléans |
| Note: |
Thèse présentée à l'Université d'Orléans Description d'après la consultation, 2018-04-26 RPE = Résonance paramagnétique électronique Titre provenant de l'écran titre Cette édition peut différer de la version de soutenance enregistrée sous le Numéro National de Thèse : 2006ORLE2004 Thèses CCSD |
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| Variante du titre: | Properties of point defects either native or induced by irradiation in the 3C and 6H polytypes of silicon carbide determined by positron annihilation and EPR |
| Edition sous un autre format: | • Propriétés des défauts ponctuels natifs et induits par irradiation dans les polytypes 3C et 6H du carbure de silicium déterminées par annihilation de positons et RPE, par Xavier Kerbiriou, 2006, 1 vol. (232 p.) |