Structure atomique et activité électrique des défauts natifs et induits par irradiation dans le carbure de silicium 6H-SiC déterminées par annihilation de positions
Le matériau SiC, semiconducteur à large bande interdite, pourrait remplacer le silicium dans le domaine de l'électronique de puissance. Cependant de nombreux défauts sont générés pendant la croissance. De plus, l'implantation ionique constitue le procédé principal de dopage. Les défauts na...
שמור ב:
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| פורמט: | Thèse et Mémoire papier |
| שפה: | Français |
| יצא לאור: |
[S.l.] :
[s.n.]
2001.
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| נושאים: | |
| הערה: |
Publication autorisée par le jury |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Atomic structure and electrical activity of native and irradiation induced defects in silicon carbide studied by positron annihilation |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| מקום | סימן המיקום | Type de prêt | סטטוס | |
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| Magasin | TS 19-2001-33 b |
A consulter sur place
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| Magasin | TS 19-2001-33 | זמין |