Détachement des substrats ultra-minces des matériaux semi-conducteurs par implantation d'hydrogène à hautes énergies pour les applications photovoltaïques et électroniques
Cette thèse a été motivée par l étude d un procédé innovant de production de substrats ultra-minces (d épaisseur variant de 15 m à 70 m), basé sur l implantation d hydrogène à haute énergie, dans notre cas comprise entre 1MeV et 2.5MeV. Une telle implantation suivie d un traitement thermique appropr...
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | , , , , , , , |
| Format: | Thèse numérique |
| Langue: | Français |
| Publié: |
2016.
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2016ORLE2035_vm.pdf http://www.theses.fr/2016ORLE2035/abes https://theses.hal.science/tel-01493989 |
| Note: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire ; 2012-....) Partenaire(s) de recherche : Conditions extrêmes et matériaux : haute température et irradiation (Orléans ; 2008-...) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Eric Millon (Président du jury) ; Esidor Ntsoenzok, Eric Millon, S. Ashok, Anne Migan-Dubois, Gabrielle Regula, Frédéric Mazen, François Rieutord, Didier Landru (Membre(s) du jury) ; S. Ashok, Anne Migan-Dubois (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Detachment of ultra-thin substrates of semiconductor materials by high energy hydrogen implantation for photovoltaic and electronic applications |