Piégeage des impuretés métalliques présentes dans le silicium destiné au photovoltaïque par plasma immersion ion implantation (PIII)
Malgré son grand potentiel, l énergie photovoltaïque n arrive pas encore à trouver une grande place dans le paysage énergétique mondial. Elle se heurte à deux problèmes de taille : le coût et le rendement. Les cellules solaires à base du silicium multicristallin (mc-Si) perdent beaucoup de leur rend...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | , |
| Formato: | Thèse numérique |
| Lenguaje: | Français |
| Publicado: |
2012.
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | Accès réservé au texte intégral |
| Nota: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire ; 2012-....) Partenaire(s) de recherche : Conditions extrêmes et matériaux : haute température et irradiation (Orléans ; 2008-...) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Eric Millon (Président du jury) ; Esidor Ntsoenzok, Eric Millon, Marie-France Beaufort, Jacques Chevallier, Abdelilah Slaoui, Gabrielle Regula, Frédéric Mazen, Frank Torregrosa (Membre(s) du jury) ; Marie-France Beaufort, Jacques Chevallier (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Extraction of silicon metal impurities to be used for photovoltaic by plasma immersion ion implantation (PII) |
| LEADER | 04011nam a22003737a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 614660 | ||
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| 009 | PPN199552533 | ||
| 041 | 0 | |a fre |b fre |b eng | |
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| 245 | 1 | 0 | |a Piégeage des impuretés métalliques présentes dans le silicium destiné au photovoltaïque par plasma immersion ion implantation (PIII) |c El Amin Kouadri Boudjelthia ; sous la direction de Esidor Ntsoenzok et de S. Ashok. |
| 256 | |a Données textuelles | ||
| 260 | |c 2012. | ||
| 500 | |a Titre provenant de l'écran-titre | ||
| 500 | |a Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire ; 2012-....) | ||
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| 500 | |a Autre(s) contribution(s) : Eric Millon (Président du jury) ; Esidor Ntsoenzok, Eric Millon, Marie-France Beaufort, Jacques Chevallier, Abdelilah Slaoui, Gabrielle Regula, Frédéric Mazen, Frank Torregrosa (Membre(s) du jury) ; Marie-France Beaufort, Jacques Chevallier (Rapporteur(s)) | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Science des matériaux. Orléans. 2012 | ||
| 520 | |a Malgré son grand potentiel, l énergie photovoltaïque n arrive pas encore à trouver une grande place dans le paysage énergétique mondial. Elle se heurte à deux problèmes de taille : le coût et le rendement. Les cellules solaires à base du silicium multicristallin (mc-Si) perdent beaucoup de leur rendement à cause de la présence des impuretés métalliques. Plusieurs recherches ont montré que les cavités induites par implantation ionique sont efficaces dans le piégeage des impuretés. Mais les techniques utilisées dans l implantation n ont pas permis à ce procédé de se développer dans l industrie à cause de leur coût élevé. Le plasma immersion ion implantation (PIII) est une technique bas coût qui permet d implanter de grandes surfaces. Elle est utilisée dans le traitement de surface à l échelle industrielle, mais à ce jour aucune étude n a montré son utilisation dans le piégeage des impuretés dans le silicium. Dans cette thèse nous avons créé des cavités dans le mc-Si par implantation d hydrogène par PIII. Plusieurs techniques de caractérisation ont été utilisées afin d étudier le mécanisme de formation de ces cavités. La MET, la photoluminescence et les positons ont été utilisées pour avoir un maximum d informations sur la nature et l évolution des défauts créés par implantation d hydrogène. Nous avons également étudié la différence entre les cavités formées par PIII et celles formées par implantation classique. Les cavités formées ont été utilisées, par la suite, pour le piégeage des impuretés métalliques présentes dans le mc-Si (Cu, Fe, Cr et Ni). Les résultats obtenus par SIMS ont monté l efficacité de notre procédé dans le piégeage des impuretés métalliques. | ||
| 520 | |a Extraction of silicon metal impurities to be used for photovoltaic by plasma immersion ion implantation (PII) | ||
| 650 | |a Photopiles | ||
| 650 | |a Silicium cristallisé | ||
| 650 | |a Cristaux |x Défauts | ||
| 650 | |a Silicium |x Couches minces | ||
| 650 | |a Technique des plasmas | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Ntsoenzok, Esidor, |d 19..- |4 ths |4 opn | |
| 700 | 1 | |a Ashok, S. |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 856 | 4 | |5 452349901:880099070 |q PDF |s 6134041 |u http://intranet.univ-orleans.fr/bibliotheques/theses/elamin-kouadriboudjelthia_2645.pdf |z Accès réservé au texte intégral | |
| 997 | |0 614660 |1 Thèse numérique |a Ressource numérique |b INSA |b ENSA |c 0/Bibliothèque numérique/ |c 1/Bibliothèque numérique/Autre ressource numérique/ | ||