Etude de l'oxyde de silicium implanté krypton ou xénon : :: SCD d'Orléans

Etude de l'oxyde de silicium implanté krypton ou xénon : évolution de la constante diélectrique.

Etude de l'oxyde de silicium implanté krypton ou xénon : évolution de la constante diélectrique.

Ce travail de thèse consiste en une étude approfondie du comportement de l'oxyde de silicium implanté Kr ou Xe pour son application comme matériau à faible constante diélectrique. Deux volets sont examinés: une étude structurale par l'utilisation de plusieurs techniques (RBS, PL, MET et PA...

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Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter:	Naas, Abdelkrim, 1966-
Andre forfattere:	Ntsoenzok, Esidor, 19..- (Directeur de thèse, Membre du jury), Belaidi, Abdelkader (Directeur de thèse, Membre du jury)
Format:	Thèse numérique
Sprog:	Français
Udgivet:	2010.
Fag:	Circuits intégrés Permittivité Silice Krypton Xénon Thèses et écrits académiques
Online adgang:	Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2010ORLE2059_va.pdf http://www.theses.fr/2010ORLE2059/abes
Kommentar:	Thèse soutenue en co-tutelle Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Sciences et technologies (Orléans ; 2009-2012) Partenaire(s) de recherche : Conditions extrêmes et matériaux : haute température et irradiation (Orléans ; 2008-...) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Eric Millon (Président du jury) ; Esidor Ntsoenzok, Abdelkader Belaidi, Eric Millon, Daniel Alquier, Abdelkader Saidane, Domingos De Sousa Meneses, Amine Boudguen (Membre(s) du jury) ; Daniel Alquier, Abdelkader Saidane (Rapporteur(s))
Autres localisations:	Voir dans le Sudoc
Variante du titre:	Study of Silica implanted krypton or xenon :, evolution of dielectric constant

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