Défauts et propriétés électriques du rutile pur ou dopé à haute température (1200 K - 1800 K)
GENERALITES SUR LA NON STOECHIOMETRIE DANS UN OXYDE SEMICONDUCTEUR MO::(2+X). APPLICATION A TIO::(2). MESURES DE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE ET DE DIFFUSION CHIMIQUE DE L'OXYGENE. APPLICATION DE LA REFLEXION IR A L'ETUDE DU PROCESSUS DE TRANSPORT DANS UN OXYDE DE C...
Tallennettuna:
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| Aineistotyyppi: | Thèse et Mémoire papier |
| Kieli: | Français |
| Julkaistu: |
[S.l.] :
[s.n.]
1977.
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| Aiheet: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
