Défauts et propriétés électriques du rutile pur ou dopé à haute température (1200 K - 1800 K)
GENERALITES SUR LA NON STOECHIOMETRIE DANS UN OXYDE SEMICONDUCTEUR MO::(2+X). APPLICATION A TIO::(2). MESURES DE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE ET DE DIFFUSION CHIMIQUE DE L'OXYGENE. APPLICATION DE LA REFLEXION IR A L'ETUDE DU PROCESSUS DE TRANSPORT DANS UN OXYDE DE C...
Zapisane w:
| 1. autor: | |
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| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Język: | Français |
| Wydane: |
[S.l.] :
[s.n.]
1977.
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| Hasła przedmiotowe: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Streszczenie: | GENERALITES SUR LA NON STOECHIOMETRIE DANS UN OXYDE SEMICONDUCTEUR MO::(2+X). APPLICATION A TIO::(2). MESURES DE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE ET DE DIFFUSION CHIMIQUE DE L'OXYGENE. APPLICATION DE LA REFLEXION IR A L'ETUDE DU PROCESSUS DE TRANSPORT DANS UN OXYDE DE COMPOSITION VARIABLE. DOPAGE PAR DES CATIONS HETEROVALENTS (NIOBIUM, CHROME) |
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| Opis fizyczny: | 1vol. (99 f.) : graph. ; 30 cm. |
| Bibliografia: | Bibliogr. f. 93-99 |