Défauts et propriétés électriques du rutile pur ou dopé à haute température (1200 K - 1800 K)
GENERALITES SUR LA NON STOECHIOMETRIE DANS UN OXYDE SEMICONDUCTEUR MO::(2+X). APPLICATION A TIO::(2). MESURES DE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE ET DE DIFFUSION CHIMIQUE DE L'OXYGENE. APPLICATION DE LA REFLEXION IR A L'ETUDE DU PROCESSUS DE TRANSPORT DANS UN OXYDE DE C...
Gardado en:
| Autor Principal: | |
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| Formato: | Thèse et Mémoire papier |
| Idioma: | Français |
| Publicado: |
[S.l.] :
[s.n.]
1977.
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| Sujets: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Localización | Número de Clasificación | Type de prêt | Statut | |
|---|---|---|---|---|
| Magasin | TS 19-1977-32 | Dispoñible | ||
| Magasin | TS 19-1977-32 a |
A consulter sur place
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| Magasin | TS 19-1977-32 b | Dispoñible |