ELABORATION PAR ICVI ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES B-N-SI POUR APPLICATION COMME INTERPHASES DANS LES MATERIAUX COMPOSITES
CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE DE DEPOTS EN COUCHES MINCES DANS LE TERNAIRE B-N-SI EN VUE D'AMELIORER LA STABILITE A L'AIR A TEMPERATURE AMBIANTE ET LA RESISTANCE A L'OXYDATION DE MATERIAUX UTILISES COMME INTERPHASES DANS LES COMPOSITES SIC/SIC. LES INTERPHASES B-N-SI SONT REALISEES...
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Sprache: | Français |
| Veröffentlicht: |
[S.l.] :
[s.n.]
1998.
|
| Schlagworte: | |
| Anmerkung: |
1998ORLE2029 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | ICVI AND CHARACTERIZATION OF B-N-SI THIN FILMS FOR APPLICATION AS INTERPHASES IN COMPOSITE MATERIALS |
| LEADER | 03446nam a22002657a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 197383 | ||
| 008 | 000508s1998 xx|||||| |||| 00| 0 fre d | ||
| 009 | PPN049603140 | ||
| 041 | 0 | |a fre |b fre | |
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| 084 | |a 530 | ||
| 100 | 1 | |a Boussant, Yvain. | |
| 240 | 1 | 0 | |a ICVI AND CHARACTERIZATION OF B-N-SI THIN FILMS FOR APPLICATION AS INTERPHASES IN COMPOSITE MATERIALS |
| 245 | 1 | 0 | |a ELABORATION PAR ICVI ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES B-N-SI POUR APPLICATION COMME INTERPHASES DANS LES MATERIAUX COMPOSITES |c YVAIN BOUSSANT ; SOUS LA DIRECTION DE LIONEL VANDENBULCKE. |
| 260 | |a [S.l.] : |b [s.n.], |c 1998. | ||
| 300 | |a 337 P. | ||
| 500 | |a 1998ORLE2029 | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Physique. Orléans. 1998 | ||
| 504 | |a 384 REF. | ||
| 520 | |a CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE DE DEPOTS EN COUCHES MINCES DANS LE TERNAIRE B-N-SI EN VUE D'AMELIORER LA STABILITE A L'AIR A TEMPERATURE AMBIANTE ET LA RESISTANCE A L'OXYDATION DE MATERIAUX UTILISES COMME INTERPHASES DANS LES COMPOSITES SIC/SIC. LES INTERPHASES B-N-SI SONT REALISEES PAR INFILTRATION CHIMIQUE ISOTHERME (ICVI) A PARTIR DE MELANGES GAZEUX BCI#3-NH#3-CH#3SICI#3-H#2. ON A FAIT VARIER LES PARAMETRES DE DEPOT AFIN D'OBTENIR DES DEPOTS PRESENTANT UNE UNIFORMITE EN EPAISSEUR SUFFISANTE ET DES TENEURS VARIABLES EN SILICIUM. LA COMPOSITION DES DEPOTS B-N-SI A ETE ETUDIEE PAR TECHNIQUES NUCLEAIRES, ALORS QUE LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES ETAIT DETERMINEE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X. LA MICROSTRUCTURE DE CES DEPOTS A ETE ETUDIEE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. LES TECHNIQUES NUCLEAIRES (RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET REACTIONS NUCLEAIRES) ONT PERMIS D'ETUDIER LA STABILITE A L'AIR, A TEMPERATURE AMBIANTE, DES COUCHES MINCES B-N-SI. L'ETUDE DE LEUR RESISTANCE A L'OXYDATION A ETE REALISEE PAR ANALYSE THERMOGRAVIMETRIQUE. LES DEPOTS B-N-SI PEUVENT ETRE CLASSES SUIVANT TROIS GRANDES CATEGORIES : LES MATERIAUX DE TYPE A, REALISES POUR DE FAIBLES TENEURS EN CH#3SICL#3 (OU MTS) CONTIENNENT DES TENEURS EN SILICIUM INFERIEURES A 1% ET PRESENTENT UNE MICROSTRUCTURE VOISINE DE CELLE DU BN DEPOSE PAR ICVI. LES MATERIAUX DE TYPE B, REALISES POUR DES TENEURS EN MTS INTERMEDIAIRES, PRESENTENT UNE MICROSTRUCTURE A GRANDES DISTANCES INTERPLANS DONT LE DEGRE D'AMORPHISATION CROIT AVEC LA TENEUR EN SILICIUM. LES DEPOTS B-N-SI DE TYPE C SONT LES MATERIAUX LES PLUS RICHES EN SILICIUM (JUSQU'A 20-30%). ILS SONT AMORPHES ET SONT LES SEULS A PRESENTER UNE STABILITE A L'AIR ET UNE RESISTANCE A L'OXYDATION SATISFAISANTES. DES COMPOSITES SIC/SIC ONT ETE REALISES EN UTILISANT COMME INTERPHASE LES DIFFERENTS TYPES DE MATERIAUX B-N-SI. LES RESULTATS MECANIQUES OBTENUS SUR CES COMPOSITES SONT EN GENERAL INFERIEURS A CEUX OBTENUS SUR LES COMPOSITES A INTERPHASE BN. | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Vandenbulcke, Lionel. |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 246460512 |t ELABORATION PAR ICVI ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES B-N-SI POUR APPLICATION COMME INTERPHASES DANS LES MATERIAUX COMPOSITES |f YVAIN BOUSSANT |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |d 1998 |p Microfiches |s [Grenoble thèses] |
| 997 | |0 197383 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-1998-29 |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-1998-29b | ||