ETUDE DE LA PULVERISATION LASER DOUCE DES SEMICONDUCTEURS III-V GAAS ET GAALAS AINSI QUE DE LEURS HETEROSTRUCTURES
NOUS AVONS D'UNE PART DEVELOPPE LES ETUDES DEJA ENGAGEES AU GREMI CONCERNANT LA MICROANALYSE AVEC RESOLUTION EN PROFONDEUR PAR ABLATION LASER A FAIBLE ENERGIE ET SPECTROMETRIE DE MASSE PAR IONISATION LASER RESONNANTE (RIMS), EN NOUS INTERESSANT AUX SEMICONDUCTEURS III-V GAAS ET GAALAS. L'E...
Enregistré dans:
| Hovedforfatter: | |
|---|---|
| Andre forfattere: | |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Sprog: | Français |
| Udgivet: |
[S.l.] :
[s.n.]
1996.
|
| Fag: | |
| Kommentar: |
1996ORLE2071 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | STUDY OF THE SOFT LASER SPUTTERING OF GAAS AND GAALAS SEMICONDUCTORS AND OF THEIR HETEROSTRUCTURES |