Diagnostic et modélisation d'un plasma basse pression gaz rares-fluor excité à 13.56 mhz
Ce travail porte sur l'étude du plasma source d'un réacteur type hélicon pouvant être utilisé pour la gravure des semiconducteurs. Nous utilisons un mélange ar-he-f#2 à des pressions variant entre 4 et 20 mtorr avec des conditions de mélange variables. L'interférométrie microonde (68...
Kaydedildi:
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| Materyal Türü: | Thèse et Mémoire papier |
| Dil: | Français |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
[S.l.] :
[s.n.]
1991.
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| Konular: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Diagnostic and modelling of a rare gas-fluorine low pressure plasma excited at 13.56 mhz |
| Edition sous un autre format: | • Diagnostic et modélisation d'un plasma basse pression gaz rares-fluor excité à 13.56 mhz, Mustapha Elyaakoubi, Villeurbanne, [CCSD], 2009 |
| Özet: | Ce travail porte sur l'étude du plasma source d'un réacteur type hélicon pouvant être utilisé pour la gravure des semiconducteurs. Nous utilisons un mélange ar-he-f#2 à des pressions variant entre 4 et 20 mtorr avec des conditions de mélange variables. L'interférométrie microonde (68 hgz) a été utilisée pour mesurer la densité électronique dont les valeurs vont de 0.4 a 2 10#1#2 cm#-#3 selon les conditions de pression et de puissance rf. En se basant sur la mesure de l'intensité des raies spectrales de l'hélium, nous avons établi un modèle collisionnel radiatif de la décharge. Il nous a permis de caractériser la fonction de distribution en énergie des électrons (fdee). Un modèle à deux températures a été choisi pour décrire cette fdee. La variation de ces températures en fonction des conditions de décharge est présentée. La température du gaz, trouvée de l'ordre de 850k, a été mesurée par absorption laser qui a permis également de mesurer la densité des niveaux 4s d'argon et de valider la technique d'auto-absorption. La cinétique des raies de fluor a été étudiée et a permis d'obtenir pour la première fois les coefficients d'excitation électroniques du fluor. Ces données ainsi que la mise en évidence des voies de population des états excités d'argon et d'hélium montrent les limites d'applicabilité de l'actinométrie. Une approche théorique est présentée pour montrer l'importance des différents processus responsables de l'entretien de la décharge et du dépôt d énergie. |
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| Bibliyografya: | 74 REF |