Simulation numérique par méthode Monte Carlo de la gravure du silicium en plasma fluoré : étude du rôle de l'oxygène dans la passivation : comparaison avec des résultats expétimentaux
Le projet de cette thèse porte sur l'étude de la gravure sèche de tranchées fines et profondes dans du silicium. Ce type de procédé est utilisé dans la fabrication des dispositifs de puissance. Le protocole expérimental s'appuie sur un procédé plasma cryogénique au cours duquel une décharg...
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| প্রধান লেখক: | |
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| অন্যান্য লেখক: | |
| বিন্যাস: | Thèse et Mémoire papier |
| ভাষা: | Français |
| প্রকাশিত: |
[S.l.] :
[s.n.]
2002.
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| বিষয়গুলি: | |
| টীকা: |
Publication autorisée par le jury |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Monte Carlo simulation of the silicon etching using a SF6-O2 plasma :, role of the oxygen in the passivation mechanism : comparison between simulation and experiments |