ETUDE ET MODELISATION DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE ET D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSES PAR PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA
LA TOPOLOGIE COMPLEXE DES CIRCUITS D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE, TELS QUE LES LIGNES METALLIQUES DE COMMANDE D'UN ECRAN PLAT DE VISUALISATION, INDUIT DES MODIFICATIONS LOCALES DES PROPRIETES DES FILMS QUI LES RECOUVRENT. CETTE ETUDE A POUR BUT, D'EVALUER ET DE COMPRENDRE LES MECANISME...
Gorde:
| Egile nagusia: | |
|---|---|
| Beste egile batzuk: | |
| Formatua: | Thèse et Mémoire papier |
| Hizkuntza: | Français |
| Argitaratua: |
[S.l.] :
[s.n.]
1997.
|
| Gaiak: | |
| Oharra: |
1997ORLE2034 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | STUDY AND MODELING OF STRUCTURES COVERAGE WITH AMORPHOUS SILICON AND SILICON DIOXIDE FILMS DEPOSITED BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR PROCESSES |
| LEADER | 03041nam a22002657a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 153082 | ||
| 008 | 990313s1997 xx|||||| |||| 00| 0 fre d | ||
| 009 | PPN043743706 | ||
| 041 | 0 | |a fre |b fre | |
| 084 | |a 001.D.03.F.17 | ||
| 084 | |a 620 | ||
| 100 | 1 | |a Dubost, Laurent. | |
| 240 | 1 | 0 | |a STUDY AND MODELING OF STRUCTURES COVERAGE WITH AMORPHOUS SILICON AND SILICON DIOXIDE FILMS DEPOSITED BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR PROCESSES |
| 245 | 1 | 0 | |a ETUDE ET MODELISATION DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE ET D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSES PAR PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA |c LAURENT DUBOST ; SOUS LA DIRECTION DE JEROME PERRIN. |
| 260 | |a [S.l.] : |b [s.n.], |c 1997. | ||
| 300 | |a 191 P. | ||
| 500 | |a 1997ORLE2034 | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Sciences appliquées. Orléans. 1997 | ||
| 504 | |a 128 REF. | ||
| 520 | |a LA TOPOLOGIE COMPLEXE DES CIRCUITS D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE, TELS QUE LES LIGNES METALLIQUES DE COMMANDE D'UN ECRAN PLAT DE VISUALISATION, INDUIT DES MODIFICATIONS LOCALES DES PROPRIETES DES FILMS QUI LES RECOUVRENT. CETTE ETUDE A POUR BUT, D'EVALUER ET DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES, PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE (A-SI:H) ET D'OXYDE DE SILICIUM (SIO#X). CES MATERIAUX SONT DEPOSES DANS UN REACTEUR INDUSTRIEL, PAR DES PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA. NOUS DEVELOPPONS UN MODELE DE RECOUVREMENT DE STRUCTURES FAISANT INTERVENIR DEUX TYPES DE RADICAUX. LA DIMINUTION DU TAUX DE CONFORMALITE (RECOUVREMENT) DES FILMS DE A-SI:H, EST INTERPRETEE COMME UNE AUGMENTATION DU RAPPORT DES DENSITES DES RADICAUX SIH#2 ET SIH#3, ISSUS DE LA DECOMPOSITION DES MELANGES SILANE-HYDROGENE. LES SIMULATIONS NUMERIQUES DU MODELE CONFIRMENT CE RESULTAT, ET REPRODUISENT LES PROFILS DE COUVERTURE DE TRANCHEE. LE RECOUVREMENT DE TRANCHEES S'ACCOMPAGNE DE DEFAUTS DE COALESCENCE A L'ORIGINE DE FUITES CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DANS DES FILMS DE SILICE. NOUS PRESENTONS UNE METHODE DE CARACTERISATION SIMPLE ET RAPIDE DE CES DEFAUTS. LE DEVELOPPEMENT D'UN PROCEDE A BASE D'UN MELANGE SIH#4-N#2O-H#2 PERMET D'OBTENIR UN MEILLEUR COMPORTEMENT DES DEPOTS. ENFIN, NOUS DECRIVONS ET MODELISONS LA CROISSANCE DE DEFAUTS NODULAIRES OBTENUS A PARTIR DU RECOUVREMENT DE PARTICULES PRESENTES SUR LE SUBSTRAT. | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Perrin, Jérôme, |d 19..-...., |c auteur d'une thèse de physique. |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 245759611 |t ETUDE ET MODELISATION DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE ET D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSES PAR PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA |f LAURENT DUBOST |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |d 1997 |p Microfiches |s [Grenoble thèses] |
| 997 | |0 153082 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-1997-34 |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-1997-34b | ||