Procédé de gravure de couches atomiques de GaN pour la conception de transistors HEMT
Cette thèse a été menée au laboratoire GREMI dans le cadre du projet européen Nano2022 - IPCEI, en collaboration avec STMicroelectronics. Le but de cette étude était de développer et d'optimiser un nouveau procédé de gravure de couche atomique (dit ALE pour Atomic Layer Etching) utilisant une c...
Gorde:
| Egile nagusia: | |
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| Beste egile batzuk: | , , , , , |
| Formatua: | Thèse numérique |
| Hizkuntza: | Français |
| Argitaratua: |
2023.
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| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2023ORLE1100_va.pdf http://www.theses.fr/2023ORLE1100/abes https://theses.hal.science/tel-04867553 |
| Oharra: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire ; 2012-....) Partenaire(s) de recherche : Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés. UMR 7344 (Orléans ; 2012-....) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Pascal Chabert (Président du jury) ; Erwine Pargon, Mihai Bogdan Lazar, Cédric Mannequin (Membre(s) du jury) ; Erwine Pargon, Mihai Bogdan Lazar (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Atomic Layer Etching of GaN for Development of HEMT Transistors |