GaN and ZnO-based Materials and Devices

The AlInGaN and ZnO materials systems have proven to be one of the scientifically and technologically important areas of development over the past 15 years, with applications in UV/visible optoelectronics and in high-power/high-frequency microwave devices. The pace of advances in these areas has bee...

Disgrifiad llawn

Wedi'i Gadw mewn:
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur: Pearton, Stephen J., 1957-
Awduron Eraill: Pearton, Stephen (Cyfarwyddwr cyhoeddi)
Fformat: Livre numérique
Iaith:Anglais
Cyhoeddwyd: Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg 2012.
Cham : Springer Nature
Cyfres:Springer Series in Materials Science 156
Mynediad Ar-lein:Accès sur la plateforme de l'éditeur
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Accès Université d'Orléans
Accès INSA CVL
Nodyn: Archives Springer e-books (Licence nationale)
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Edition sous un autre format:• GaN and ZnO-based Materials and Devices, Texte imprimé, 9783642235207
• GaN and ZnO-based Materials and Devices, Texte imprimé, 9783642235221
• GaN and ZnO-based Materials and Devices, Texte imprimé, 9783642433238
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245 1 0 |a GaN and ZnO-based Materials and Devices   |c edited by Stephen Pearton. 
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260 |a Cham :  |b Springer Nature,  |c 2012. 
490 0 |a Springer Series in Materials Science  |v 156  |x 2196-2812 
500 |a Archives Springer e-books (Licence nationale) 
500 |a Archives Springer e-books (Licence nationale) 
505 0 |a UV LEDs -- Non-Polar GaN Growth -- High-Quality AlGaN Alloys -- Bulk AlN for UV LEDs -- Enhancement of the Light-Extraction Efficiency of GaN-Based Light Emitting Diodes -- GaN-Based Sensors -- III-N Alloys for Solar Power Conversion -- GaN HEMT Technology -- GaN Power Devices -- Nitride Nanostructures -- Radiation-Induced Defects in GaN -- Electron Injection Effects in GaN -- Progress and Prospect of Rare-Earth Nitrides -- Advances in PLD of ZnO and Related Compounds -- ZnO Nanowires and p-Type Doping -- Multifunctional ZnO Structures -- ZnO/MgZnO Quantum Wells -- GZO TFTs. 
506 |a Accès en ligne pour les établissements français bénéficiaires des licences nationales 
506 |a Accès soumis à abonnement pour tout autre établissement 
506 |a Conditions particulières de réutilisation pour les bénéficiaires des licences nationales. chttps://www.licencesnationales.fr/springer-nature-ebooks-contrat-licence-ln-2017 
520 |a The AlInGaN and ZnO materials systems have proven to be one of the scientifically and technologically important areas of development over the past 15 years, with applications in UV/visible optoelectronics and in high-power/high-frequency microwave devices. The pace of advances in these areas has been remarkable and the wide band gap community relies on books like the one we are proposing to provide a review and summary of recent progress. 
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