Ferroelectric random access memories : fundamentals and applications
In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on.This book covers from fundamentals to applications of ferroelectric random access memories (FeRAMs). The book...
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| Altres autors: | , , |
|---|---|
| Format: | Livre numérique |
| Idioma: | Anglais |
| Publicat: |
Berlin ; Paris [etc.] :
Springer-Verlag : Springer e-books
[20..].
Cham : Springer Nature |
| Col·lecció: | Topics in applied physics
93 |
| Matèries: | |
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| Nota: |
Archives Springer e-books (Licence nationale) Archives Springer e-books (Licence nationale) |
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| Edition sous un autre format: | • Ferroelectric random access memories, fundamentals and applications, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Yoshihiro Arimoto (eds.), Berlin, Springer, 2004, 1 vol. (XIII-290 p.), Topics in applied physics, 3-540-40718-9 • Ferroelectric Random Access Memories, Texte imprimé, 9783642073847 • Ferroelectric Random Access Memories, Texte imprimé, 9783662308233 |