GaP Heteroepitaxy on Si(100) : Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients
Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect mechanisms driven by the crucial po...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | Livre numérique |
| Idioma: | Anglais |
| Publicat: |
Cham :
Springer International Publishing
2013.
Cham : Springer Nature |
| Col·lecció: | Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. Research
|
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| Nota: |
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| Edition sous un autre format: | • GaP Heteroepitaxy on Si(100), Texte imprimé, 9783319028798 • GaP Heteroepitaxy on Si(100), Texte imprimé, 9783319028811 • GaP Heteroepitaxy on Si(100), Texte imprimé, 9783319379555 |