Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs
Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits. The material covered begins with a r...
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| Άλλοι συγγραφείς: | , |
|---|---|
| Μορφή: | Livre numérique |
| Γλώσσα: | Anglais |
| Έκδοση: |
New York, NY :
Springer US : Imprint: Springer
[20..].
Cham : Springer Nature |
| Έκδοση: | 1. |
| Διαθέσιμο Online: | Accès sur la plateforme de l'éditeur Accès sur la plateforme Istex Accès Université d'Orléans Accès INSA CVL |
| Σημείωση: |
Archives Springer e-books (Licence nationale) Archives Springer e-books (Licence nationale) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Edition sous un autre format: | • Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs, Serge Oktyabrsky, Peide Ye, editors, New York, Springer, 2010, 1 vol. (XV-445 p.), 978-1-441-91546-7 |