Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium
Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d&#...
Gorde:
| Egile nagusia: | |
|---|---|
| Formatua: | Thèse numérique |
| Hizkuntza: | Français |
| Argitaratua: |
Villeurbanne :
[CCSD]
2005.
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| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | Accès au texte intégral Accès Université d'Orléans |
| Oharra: |
Description d'après la consultation, 2018-04-26 Titre provenant de l'écran titre Cette édition peut différer de la version de soutenance enregistrée sous le Numéro National de Thèse : 2003ORLE2011 Thèses CCSD |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of the thermal growth of cavities induced by helium implantation in silicon |
| Edition sous un autre format: | • Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium, par Romain Delamare, [S.l.], [s.n.], 2003, 134 p. |
| LEADER | 02597nam a22003017a 4500 | ||
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| 041 | 0 | |a fre |b fre |b eng | |
| 084 | |a 530 | ||
| 100 | 1 | |a Delamare, Romain, |d 1973- | |
| 240 | 1 | 0 | |a Study of the thermal growth of cavities induced by helium implantation in silicon |
| 245 | 1 | 0 | |a Etude de la croissance thermique des cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium |c par Romain Delamare. |
| 256 | |a Données textuelles | ||
| 260 | |a Villeurbanne : |b [CCSD], |c 2005. | ||
| 500 | |a Description d'après la consultation, 2018-04-26 | ||
| 500 | |a Titre provenant de l'écran titre | ||
| 500 | |a Cette édition peut différer de la version de soutenance enregistrée sous le Numéro National de Thèse : 2003ORLE2011 | ||
| 500 | |a Thèses CCSD | ||
| 502 | |a Texte remanié de. Thèse de doctorat. Physique. Orléans. 2003 | ||
| 520 | |a Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d'implantations. Les énergies d'implantation que nous avons réalisées, sont comprises entre 10 keV et 1,55 MeV, les doses allant de 1,45.10 16 jusqu'à 10 17 He.cm-2. Nous avons ainsi pu mettre en évidence le rôle de chacun des trois paramètres principaux que sont les lacunes, l'hélium et la surface dans la croissance des cavite s. Nous avons également montré que c'est le même mécanisme qui gouverne la croissance des cavités pour des températures de recuit jusqu'à 900ů et que les cavités se forment dans la zone de création des lacunes dues à l'implantation. Avec ces données, nous avons pu élaborer un nouveau modèle de croissance pour les cavités. | ||
| 538 | |a Un logiciel capable de lire un fichier au format PDF | ||
| 650 | |a Hélium | ||
| 650 | |a Silicium | ||
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| 997 | |0 927964 |1 Thèse numérique |a Ressource numérique |b INSA |b ENSA |c 0/Bibliothèque numérique/ |c 1/Bibliothèque numérique/Autre ressource numérique/ | ||