Caractérisation de lacunes d'oxygène dans les diélectriques à haute permittivité à destination des transistors High-k Metal Gate
La présence de lacunes d oxygène dans les diélectriques est supposée dégrader les propriétés électriques des transistors high-k metal gate . Nous avons donc étudié les possibilités d une nouvelle méthodologie pour analyser ces défauts dans des couches minces de HfO2. Il s agit d utiliser des techniq...
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| المؤلف الرئيسي: | |
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| مؤلفون آخرون: | , , , , , |
| التنسيق: | Thèse numérique |
| اللغة: | Français |
| منشور في: |
2017.
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| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2017ORLE2049_vm.pdf http://www.theses.fr/2017ORLE2049/abes https://theses.hal.science/tel-01951532 |
| ملاحظة: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire ; 2012-....) Partenaire(s) de recherche : Conditions extrêmes et matériaux : haute température et irradiation (Orléans ; 2008-...) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Eric Millon (Président du jury) ; Marie-France Barthe, Eric Millon, Filip Tuomisto, Lionel Santinacci, Damien Deleruyelle, Mickaël Gros-Jean, François Bertin (Membre(s) du jury) ; Filip Tuomisto, Lionel Santinacci (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Characterization of oxygen vacancies in high-k dielectrics used in HKMG stacks |