Procédés de gravure plasma pour la réalisation de structures verticales de diodes Schottky de nouvelle génération à base de GaN
Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à grand gap dont les propriétés en font un bon candidat pour remplacer le Si dans le domaine de l électronique de puissance. Dans cette optique, cette thèse s est intéressée à l une des étapes de la conception d une diode de puissance Schottky à bas...
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
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| Muut tekijät: | , , , , |
| Aineistotyyppi: | Thèse numérique |
| Kieli: | Français |
| Julkaistu: |
2016.
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| Aiheet: | |
| Linkit: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2016ORLE2076_vm.pdf http://www.theses.fr/2016ORLE2076/abes https://theses.hal.science/tel-02003623 |
| Huomautus: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire ; 2012-....) Partenaire(s) de recherche : Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés. UMR 7344 (Orléans ; 2012-....) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Christophe Cardinaud (Président du jury) ; Rémi Dussart, Christophe Cardinaud, Gilles Cartry, Mihai Lazar, Thomas Tillocher (Membre(s) du jury) ; Gilles Cartry, Nicolas Possémé (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Plasma etch processes for the realization of vertical structures for the new generation of GaN based Schottky diodes |